A NEW ANALYTICAL MODEL FOR THE 2-TERMINAL MOS CAPACITOR ON SOI SUBSTRATE

被引：25

作者：

FLANDRE, D

VANDEWIELE, F

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.722

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：296 / 299

页数：4

共 5 条

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