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MONITORING OF INTERNAL GETTERING DURING BIPOLAR PROCESSES
被引:19
作者
:
GRAFF, K
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GRAFF, K
HEFNER, HA
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HEFNER, HA
HENNERICI, W
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HENNERICI, W
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1988年
/ 135卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2095846
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:952 / 957
页数:6
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共 12 条
[11]
DIFFUSION-LIMITED GROWTH OF OXIDE PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON
WADA, K
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机构:
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
WADA, K
INOUE, N
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0
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机构:
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
INOUE, N
KOHRA, K
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0
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机构:
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
KOHRA, K
[J].
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1980,
49
(04)
: 749
-
752
[12]
YANG KH, 1984, ASTM STP, V850
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共 12 条
[11]
DIFFUSION-LIMITED GROWTH OF OXIDE PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON
WADA, K
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机构:
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
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WADA, K
INOUE, N
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机构:
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
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INOUE, N
KOHRA, K
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0
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0
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0
机构:
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
UNIV TOKYO,FAC ENGN,TOKYO 113,JAPAN
KOHRA, K
[J].
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1980,
49
(04)
: 749
-
752
[12]
YANG KH, 1984, ASTM STP, V850
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