HIGH COUPLED POWER 1.3 MU-M EDGE-EMITTING LIGHT-EMITTING DIODE WITH A REAR WINDOW AND AN INTEGRATED ABSORBER

被引：13

作者：

GENEI, K

TANIOKA, A

SUHARA, H

CHINEN, K

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 13期

关键词：

D O I：

10.1063/1.100037

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：1138 / 1140

页数：3

相关论文

共 4 条

[1] 1.3 MU-M EDGE-EMITTING DIODES LAUNCHING 250 MU-W INTO A SINGLE-MODE FIBER AT 100 MA
ARNOLD, G
GOTTSMANN, H
KRUMPHOLZ, O
SCHLOSSER, E
SCHURR, EA
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1985, 21 (21) : 993 - 994
[2] KAMISHIMA Y, 1988, 1988 C LAS EL, P356
[3] HIGH-POWER, HIGH-EFFICIENCY WINDOW BURIED HETEROSTRUCTURE GAALAS SUPERLUMINESCENT DIODE WITH AN INTEGRATED ABSORBER
KWONG, NSK
LAU, KY
BARCHAIM, N
URY, I
LEE, KJ
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1987, 51 (23) : 1879 - 1881
[4] TAKAHASHI S, 1988, 1988 OPT FIB COMM C, V1