ELECTRICAL PROPERTIES OF ANODICALLY GROWN SILICON DIOXIDE FILMS

被引：23

作者：

BEYNON, JDE ^{[1
]}

BLOODWORTH, GG ^{[1
]}

MCLEOD, IM ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SOUTHAMPTON, DEPT ELECTR, SOUTHAMPTON 9, HAMPSHIRE, ENGLAND

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1973年 / 16卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90003-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：309 / 314

页数：6

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共 4 条

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