ALUMINIUM SCHOTTKY BARRIERS ON SPUTTER-ETCHED SILICON

被引：4

作者：

GUTKNECHT, P

STRUTT, MJO

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19710206

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：298 / +

页数：1

共 7 条

[1]

ARCHER RJ, 1963, ANN NY ACAD SCI, V101, P697

[2] SURFACE STATES AND BARRIER HEIGHT OF METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS [J].

COWLEY, AM ;

SZE, SM .

CROWELL, CR .

[4] CURRENT TRANSPORT IN METAL-SEMICONDUCTOR BARRIERS [J].

CROWELL, CR ;

SZE, SM .

[5]

SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P393

[6] METAL-SILICON SCHOTTKY BARRIERS [J].

TURNER, MJ ;

RHODERICK, EH .

[7]

YU AYC, 1970, J APPL PHYS, V13, P97