INVESTIGATION OF LASER-INDUCED DIFFUSION AND ANNEALING PROCESSES OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON-CRYSTALS

被引：32

作者：

GEILER, HD ^{[1
]}

GOTZ, G ^{[1
]}

KLINGE, KD ^{[1
]}

TRIEM, N ^{[1
]}

机构：

[1] FRIEDRICH SCHILLER UNIV,PHYS SECT,DDR-69 JENA,GER DEM REP

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1977年 / 41卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210410261

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K171 / K173

页数：3