RATE OF GROWTH AND DECAY OF HIGH-FIELD DOMAINS IN N-TYPE GALLIUM ARSENIDE

被引：1

作者：

GUHA, S

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1971年 / 59卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1971.8247

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：718 / &

共 6 条

HEINLE, W .

[2]

KINO GS, 1969, IEEE T, VED16, P735

KUROKAWA, K .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1967, 46 (10) :2235-+

[4] INITIAL GROWTH OF DOMAINS IN GUNN OSCILLATORS [J].

LUNDSTROM, I .

[5]

Sasaki A., 1970, Radio and Electronic Engineer, V39, P81, DOI 10.1049/ree.1970.0011

[6] BUILDUP OF GUNN DOMAINS [J].

SZEKELY, V ;

TARNAY, K .