THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT AND AUGER STUDIES OF YTTRIUM AND YTTRIUM SILICIDE ON SILICON

被引：11

作者：

CAMPISI, GJ

BEVOLO, AJ

SCHMIDT, FA

机构：

[1] Ames Laboratory USDOE, Iowa State University, Ames, IA 50011, United States

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.328656

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：6647 / 6650

页数：4

共 16 条

[1] CHEMICAL BONDING AND STRUCTURE OF METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES [J].

ANDREWS, JM ;

PHILLIPS, JC .

BAGLIN, JE ;

HEURLE, FMD ;

PETERSSON, CS .

BARDEEN, J .

PHYSICAL REVIEW, 1947, 71 (10) :717-727

[4]

BEAUDRY BJ, 1978, HDB PHYSICS CHEM RAR, P173

[5]

CANELI C, 1977, J PHYS D, V10, P2481

[6]

FORMENKO VS, 1966, HDB THERMIONIC PROPE

[7]

GSCHNEIDNER KA, 1973, ISRIC6 USDOE AM LAB

[8]

GSCHNEIDNER KA, 1971, ISRIC5 USDOE AM LAB

[9]

HENISCH HK, 1957, RECTIFYING SEMICONDU, P183

[10]

KERN W, 1970, RCA REV, V31, P187