IMPROVED PERFORMANCE OF SILICON AVALANCHE OSCILLATORS MOUNTED ON DIAMOND HEAT SINKS

被引：46

作者：

SWAN, CB

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1967年 / 55卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1967.5915

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1617 / &

相关论文

共 3 条

[1] BERMAN R, 1965, PHYSICAL PROPERTIES
[2] TEMPERATURE DEPENDENCE OF AVALANCHE MULTIPLICATION IN SEMICONDUCTORS
CROWELL, CR
SZE, SM
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1966, 9 (06) : 242 - &
[3] IMPORTANCE OF PROVIDING A GOOD HEAT SINK FOR AVALANCHING TRANSIT TIME OSCILLATOR DIODES
SWAN, CB
[J]. PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1967, 55 (03): : 451 - &