A PHOTO-TRANSISTOR WITH CONCENTRIC ELECTRODES ON THE SI SUBSTRATE

被引：4

作者：

CHEN, CW ^{[1
]}

GUSTAFSON, TK ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,ELECTR RES LAB,BERKELEY,CA 94720

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1981.25401

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：200 / 202

页数：3

共 4 条

[1]

CAMPBELL JC, 1981, IEEE J QUANTUM ELECT, V17, P264, DOI 10.1109/JQE.1981.1071072

[2]

Miller J.M., 1920, NBS SCI PAPERS, V15, P367, DOI [10.6028/nbsscipaper.024, DOI 10.6028/NBSSCIPAPER.024]

[3] HIGH-SENSITIVITY INGAASP-INP PHOTOTRANSISTORS [J].

TOBE, M ;

AMEMIYA, Y ;

SAKAI, S ;

UMENO, M .

[4] HIGH-GAIN INGAASP-INP HETEROJUNCTION PHOTOTRANSISTORS [J].

WRIGHT, PD ;

NELSON, RJ ;

CELLA, T .