CROSS SECTIONS AND OHMIC RESISTANCE OF DIFFUSION PIPES IN SILICON

被引：9

作者：

GOETZBERGER, A

STEPHENS, C

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425505

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：604 / 607

页数：4

共 11 条

[1] FLINT PS, 1961, OCT DETR M EL SOC
[2] DIFFUSION OF DONOR AND ACCEPTOR ELEMENTS IN SILICON
FULLER, CS
DITZENBERGER, JA
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1956, 27 (05) : 544 - 553
[3] GOETZBERGER A, 1 INT SCI REP
[4] GOETZBERGER A, 1961, IRE T ELECTRON DEVIC, V8, P429
[5] GOETZBERGER A, 1959, B AM PHYS SOC, V4, P455
[6] GOETZBERGER A, UNPUB SOLID STATE EL
[7] JAMES BD, 1960, APR CHIC M EL SOC
[8] MCDONALD B, 1961, B AM PHYS SOC, V6, P106
[9] SCHMIDT PF, 1958, SEMICONDUCTORS PHOSP, P570
[10] SHOCKLEY W, ELECTRONS HOLES SEMI, P99