EFFECT OF STACKING-FAULTS ON CARRIER GENERATION IN A SILICON DEPLETION LAYER

被引：8

作者：

MATSUOKA, Y

IKUTA, K

NAKAJIMA, S

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1978年 / 17卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.17.2167

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2167 / 2168

页数：2

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