共 21 条
- [21] DEFECTS IN IRRADIATED SILICON - ELECTRON PARAMAGNETIC RESONANCE + ELECTRON-NUCLEAR DOUBLE RESONANCE OF SI-E CENTER[J]. PHYSICAL REVIEW, 1964, 134 (5A): : 1359 - +WATKINS, GDCORBETT, JW
CHARGE-DENSITIES AND WAVE-FUNCTIONS OF CHALCOGENIDE DEEP IMPURITIES IN SI
被引：53
作者：
REN, SY
HU, WM
SANKEY, OF
DOW, JD
机构：
[1] UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB,URBANA,IL 61801
[2] UNIV ILLINOIS,DEPT PHYS,URBANA,IL 61801
来源：
PHYSICAL REVIEW B
|
1982年
/
26卷
/
02期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.26.951
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：951 / 954
页数：4
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