SHALLOW IMPURITY SURFACE STATES IN SILICON

被引：22

作者：

SCHECHTER, D

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.19.692

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：692 / +

页数：1

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共 4 条

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