TEM OF DISLOCATIONS UNDER HIGH STRESS IN GERMANIUM AND DOPED SILICON

被引:28
作者
ALEXANDER, H
EPPENSTEIN, H
GOTTSCHALK, H
WENDLER, S
机构
来源
JOURNAL OF MICROSCOPY-OXFORD | 1980年 / 118卷 / JAN期
关键词
D O I
10.1111/j.1365-2818.1980.tb00241.x
中图分类号
TH742 [显微镜];
学科分类号
摘要
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