HETERO-EPITAXIAL GROWTH OF CUBIC SILICON-CARBIDE ON FOREIGN SUBSTRATES

被引：98

作者：

MATSUNAMI, H ^{[1
]}

NISHINO, S ^{[1
]}

ONO, H ^{[1
]}

机构：

[1] KYOTO UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR,SAYKY,KYOTO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20556

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1235 / 1236

页数：2

共 5 条

[1]

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