GONIOMETER FOR ULTRAHIGH VACUUM ION IMPLANTATION STUDIES

被引:1
作者
JACOBOWITZ, L
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1684238
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
引用
收藏
页码:127 / +
页数:1
相关论文
共 3 条
[1]  
BRANDT CW, 1968, PHYS TODAY, V21, P115
[2]   SEMICONDUCTOR DOPING BY HIGH ENERGY 1-2.5 MEV ION IMPLANTATION [J].
ROOSILD, S ;
DOLAN, R ;
BUCHANAN, B .
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1968, 115 (03) :307-&
[3]  
WILSON RG, 1967, P INT C APPLICATIONS, P118