LEAKAGE CURRENT DEGRADATION IN N-MOSFETS DUE TO HOT-ELECTRON STRESS

被引：33

作者：

DUVVURY, C ^{[1
]}

REDWINE, DJ ^{[1
]}

STIEGLER, HJ ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,MOS MEMORY GRP,HOUSTON,TX 77001

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/55.9282

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：579 / 581

页数：3

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共 6 条

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