LOW THRESHOLD GAINASP-INP LASERS WITH GOOD TEMPERATURE-DEPENDENCE GROWN BY LOW-PRESSURE MOVPE

被引：13

作者：

HIRTZ, JP

RAZEGHI, M

LARIVAIN, JP

HERSEE, S

DUCHEMIN, JP

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810081

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页数：2

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共 11 条

[11] OLSEN CH, 1980, ELECTRON LETT, V16, P516