MOS AND VERTICAL JUNCTION DEVICE CHARACTERISTICS OF EPITAXIAL SILICON ON LOW ALUMINUM-RICH SPINEL

被引：6

作者：

ZAININGER, KH

WANG, CC

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1970年 / 13卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90092-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：943 / +

页数：1

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共 32 条

[31]

ZAININGER KH, 1964, RCA REV, V25, P85

[32]

ZAININGER KH, 1966, RCA REV, V27, P341

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