THERMAL-RESISTANCE OF GALLIUM-ARSENIDE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：9

作者：

WEBB, PW

RUSSELL, IAD

机构：

来源：

IEE PROCEEDINGS-G CIRCUITS DEVICES AND SYSTEMS | 1989年 / 136卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1049/ip-g-2.1989.0040

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：229 / 234

页数：6

共 7 条

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