IMPROVEMENT OF THE QUALITY OF GE FILMS ON CAF2/SI(111) STRUCTURES BY PREDEPOSITED THIN GE LAYERS

被引：7

作者：

KANEMARU, S

ISHIWARA, H

ASANO, T

FURUKAWA, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(86)90489-9

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：666 / 670

页数：5

共 4 条

[1] EPITAXIAL-GROWTH OF GE FILMS ONTO CAF2-SI STRUCTURES [J].

ASANO, T ;

ISHIWARA, H .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1982, 21 (10) :L630-L632

ASANO, T ;

ISHIWARA, H .

[3] EPITAXIAL-GROWTH OF SOS FILMS WITH AMORPHOUS SI BUFFER LAYER [J].

ISHIDA, M ;

OHYAMA, H ;

SASAKI, S ;

YASUDA, Y ;

NISHINAGA, T ;

NAKAMURA, T .

SLOOPE, BW ;

TILLER, CO .