HIGH-FIELD EFFECT IN BORON-DOPED SILICON

被引:6
作者
LARRABEE, RD
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1959年 / 116卷 / 02期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.116.300
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:300 / 301
页数:2
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共 4 条
[1]   THE LOW TEMPERATURE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF NORMAL-TYPE GERMANIUM [J].
KOENIG, SH ;
GUNTHERMOHR, GR .
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1957, 2 (04) :268-283
[2]  
KOHN W, 1957, SOLID STATE PHYS, V5, P258
[3]   DRIFT MOBILITIES IN SEMICONDUCTORS .2. SILICON [J].
PRINCE, MB .
PHYSICAL REVIEW, 1954, 93 (06) :1204-1206
[4]  
SEEGER K, 1958, B AM PHYS SOC 2, V3, P112