HIGH-FIELD EFFECT IN BORON-DOPED SILICON

被引：6

作者：

LARRABEE, RD

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1959年 / 116卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.116.300

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：300 / 301

页数：2

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共 4 条

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