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DETERMINATION OF THE BAND-EDGE OFFSET IN HETEROJUNCTIONS BY ELECTRON-BEAM INDUCED CURRENT (GAAS/GAALAS)
被引:15
作者
:
EISENBEISS, A
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0
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0
机构:
NEDERLANDSCHE PHILIPS BEDRIJVEN,PHILIPS RES LAB,BEDRIJVEN,NETHERLANDS
EISENBEISS, A
HEINRICH, H
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机构:
NEDERLANDSCHE PHILIPS BEDRIJVEN,PHILIPS RES LAB,BEDRIJVEN,NETHERLANDS
HEINRICH, H
OPSCHOOR, J
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机构:
NEDERLANDSCHE PHILIPS BEDRIJVEN,PHILIPS RES LAB,BEDRIJVEN,NETHERLANDS
OPSCHOOR, J
TIJBURG, RP
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机构:
NEDERLANDSCHE PHILIPS BEDRIJVEN,PHILIPS RES LAB,BEDRIJVEN,NETHERLANDS
TIJBURG, RP
PREIER, H
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机构:
NEDERLANDSCHE PHILIPS BEDRIJVEN,PHILIPS RES LAB,BEDRIJVEN,NETHERLANDS
PREIER, H
机构
:
[1]
NEDERLANDSCHE PHILIPS BEDRIJVEN,PHILIPS RES LAB,BEDRIJVEN,NETHERLANDS
[2]
FRAUNHOFER INST PHYS MESSTECHN,D-7800 FREIBURG,FED REP GER
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1987年
/ 50卷
/ 22期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.97787
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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SZE SM, 1982, PHYSICS SEMICONDUCTO
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