INTRACAVITY-LOSS-MODULATED GAINASP DIODE-LASERS

被引：2

作者：

TSANG, DZ ^{[1
]}

WALPOLE, JN ^{[1
]}

GROVES, SH ^{[1
]}

HSIEH, JJ ^{[1
]}

DONNELLY, JP ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1980年 / 27卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20220

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：2192 / 2192

页数：1

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共 2 条

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