THE CONCEPT AND INITIAL STUDIES OF A CROSSTIE RANDOM-ACCESS MEMORY (CRAM)

被引：13

作者：

SCHWEE, LJ

HUNTER, PE

RESTORFF, KA

SHEPHARD, MT

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1982年 / 53卷 / 03期

基金：

美国国家科学基金会;

关键词：

D O I：

10.1063/1.330958

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：2762 / 2764

页数：3

相关论文

共 4 条

[1] COHEN MS, 1970, HDB THIN FILM TECHNO, P17
[2] LO D, COMMUNICATION
[3] ANISOTROPIC MAGNETORESISTANCE IN FERROMAGNETIC 3D ALLOYS
MCGUIRE, TR
POTTER, RI
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 1975, 11 (04) : 1018 - 1038
[4] CROSSTIE-MEMORY
SCHWEE, LJ
IRONS, HR
ANDERSON, WE
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 1976, 12 (06) : 608 - 613