SILICON FILMS GROWTH IN VACUUM BY PYROLYSIS OF SILANE

被引：2

作者：

ALEXANDROV, LN ^{[1
]}

EDELMAN, FL ^{[1
]}

VOSKOBOINIKOV, VV ^{[1
]}

机构：

[1] ACAD SCI USSR,INST SEMICOND PHYS,NOVOSIBIRSK 90,USSR

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0042-207X(77)90045-8

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：145 / 150

页数：6

共 11 条

[1]

ALEXANDROV LN, 1972, KINETIKA OBRAZOVANIY

[2]

ALEXANDROV LN, 1974, J CRYST GROWTH, V24, P298

[3]

ALEXANDROV LN, 1975, THIN SOLID FILMS, V32, P241

[4]

ALEXANDROV LN, 1974, JAPAN J APPL PHYS S2, P609

[5]

ALEXANDROV LN, 1974, THIN SOLID FILMS, V20, P1

[6]

EDELMAN FL, 1974, MIKROELEKTRONIKA, V3, P418

[7]

EDELMAN FL, 1974, MIKROELEKTRONIKA, V3, P554

[8]

EDELMAN FL, 1974, ELECTRONIC ENG MATER, V8, P102

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JOYCE, BA ;

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