3 PERIOD (A1, GA) AS-GAAS HETEROSTRUCTURES WITH EXTREMELY HIGH MOBILITIES

被引：16

作者：

DRUMMOND, TJ ^{[1
]}

KOPP, W ^{[1
]}

MORKOC, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 13期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810310

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：442 / 444

页数：3

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共 11 条

[11] HIGH MOBILITIES IN ALXGA1-XAS-GAAS HETEROJUNCTIONS
WITKOWSKI, LC
DRUMMOND, TJ
STANCHAK, CM
MORKOC, H
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1980, 37 (11) : 1033 - 1035