RESISTIVITY CHANGES IN ACCEPTOR DOPED BATIO3 DUE TO SINTERING AND ANNEALING IN HYDROGEN CONTAINING ATMOSPHERES

被引：1

作者：

BOSER, O

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(89)90127-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：377 / 383

页数：7

共 15 条

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