SILICON-GATE N-WELL CMOS PROCESS BY FULL ION-IMPLANTATION TECHNOLOGY

被引：32

作者：

OHZONE, T

SHIMURA, H

TSUJI, K

HIRAO, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20104

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1789 / 1795

页数：7

共 13 条

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