SHEET-RESISTANCE CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED SILICON RESISTORS AT CRYOGENIC TEMPERATURES

被引：1

作者：

SASAKI, N

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.339615

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1518 / 1521

页数：4

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共 3 条

[1] IMPURITY CONDUCTION IN SILICON [J].

RAY, RK ;

FAN, HY .

PHYSICAL REVIEW, 1961, 121 (03) :768-&

WAGNER, C ;

BURKHARDT, F .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1978, 47 (01) :131-138

YAMANOUCHI, C ;

MIZUGUCHI, K ;

SASAKI, W .