INFLUENCE OF INCOMPLETE IONIZATION OF IMPURITIES ON CAPACITANCE OF P-N JUNCTIONS

被引：7

作者：

NUYTS, W

VANOVERS.R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1659715

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3988 / &

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共 5 条

[1]

BLAKEMORE JS, 1962, SEMICONDUCTOR STATIS

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[3]

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