DEPTH DISTRIBUTIONS OF HYDROGEN-IMPLANTED AND ANNEALED SILICON

被引：13

作者：

WILSON, RG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.97329

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1375 / 1377

页数：3

共 4 条

[1]

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