DETERMINATION OF THE STRESS PROFILE IN ION-IMPLANTED GARNETS

被引:8
作者
KERSUSAN, JP
GERARD, P
GAILLIARD, JP
JOUVE, H
机构
关键词
D O I
10.1109/TMAG.1981.1061494
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:2917 / 2919
页数:3
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