OHMIC MOBILITY OF HOLES IN SILICON

被引:7
作者
COSTATO, M
REGGIANI, L
机构
来源
NUOVO CIMENTO DELLA SOCIETA ITALIANA DI FISICA B-GENERAL PHYSICS RELATIVITY ASTRONOMY AND MATHEMATICAL PHYSICS AND METHODS | 1970年 / 68卷 / 01期
关键词
D O I
10.1007/BF02710359
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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