INTERFACE CHARGES BENEATH LASER-ANNEALED INSULATORS ON SILICON

被引：7

作者：

KAMINS, TI ^{[1
]}

LEE, KF ^{[1
]}

GIBBONS, JF ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD ELECT LABS,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(80)90181-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1037 / 1039

页数：3

共 4 条

GAT, A ;

GERZBERG, L ;

GIBBONS, JF ;

MAGEE, TJ ;

PENG, J ;

HONG, JD .

[2]

GIBBONS JF, 1980, P S LASER ELECTRON B

[3]

GIBBONS JF, ELECTROCHEMICAL SOC, V79, P1271

TASCH, AF ;

HOLLOWAY, TC ;

LEE, KF ;

GIBBONS, JF .