LSA OSCILLATOR-DIODE THEORY

被引：139

作者：

COPELAND, JA

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1967年 / 38卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1710069

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：3096 / +

页数：1

相关论文

共 33 条

[31] NEGATIVE RESISTANCE ARISING FROM TRANSIT TIME IN SEMICONDUCTOR DIODES
SHOCKLEY, W
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1954, 33 (04): : 799 - 826
[32] SHOCKLEY W, 1966, QUANTUM THEORY ATOMS, P537
[33] MICROWAVE AMPLIFICATION IN A DC-BIASED BULK SEMICONDUCTOR (N-TYPE GAAS RESISTIVITY EFFECT E-T)
THIM, HW
BARBER, MR
HAKKI, BW
KNIGHT, S
UENOHARA, M
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1965, 7 (06) : 167 - &

← 1 2 3 4 →