GAAS FETS WITH GRADED CHANNEL DOPING PROFILES

被引：16

作者：

WILLIAMS, RE ^{[1
]}

SHAW, DW ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,DALLAS,TX 75222

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1977年 / 13卷 / 14期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19770297

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：408 / 409

页数：2

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共 2 条

[1] DEPENDENCE OF GAAS POWER MESFET MICROWAVE PERFORMANCE ON DEVICE AND MATERIAL PARAMETERS [J].

MACKSEY, HM ;

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