THICK JUNCTIONS MADE WITH NUCLEAR COMPENSATED SILICON

被引：20

作者：

MESSIER, J

LECOROLLER, Y

FLORES, JM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1964.4323434

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：276 / +

页数：1

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共 5 条

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