EXPERIMENTS ON SURFACE PERIPHERAL LEAKAGE CURRENT OF A SILICON N+P JUNCTION

被引：13

作者：

WANG, CT ^{[1
]}

机构：

[1] HEWLETT PACKARD CO,LOVELAND,CO 80537

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1977年 / 20卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90205-2

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：967 / 969

页数：3

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共 3 条

[1]

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