INVESTIGATION OF GAAS-INYGA1-YPZAS1-Z-INXGA1-XAS GRADING HETEROJUNCTIONS FORMATION

被引：3

作者：

BOLKHOVITYANOV, YB

BOLKHOVITYANOVA, RI

YUDAEV, VI

机构：

来源：

KRISTALL UND TECHNIK-CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY | 1980年 / 15卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1002/crat.19800150403

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：387 / 394

页数：8

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共 4 条

[1]

BOLKHOVITAYNOV JB, 1979, KRISTALL TECHNIK, V14, P399

[2]

MALKOVA NV, 1977, V VSESOYUZNOE SOVESC, V2, P116

NAGAI, H ;

NOGUCHI, Y .

[4] GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LIQUID-PHASE EPITAXIAL INXGA1-XAS [J].

NAHORY, RE ;

POLLACK, MA ;

DEWINTER, JC .