SI-C-O-N HIGH-PRESSURE EQUILIBRIA AND DELTA-G-DEGREES-F FOR SI2ON2

被引：17

作者：

EKELUND, M

FORSLUND, B

ERIKSSON, G

JOHANSSON, T

机构：

[1] UMEA UNIV,DEPT INORGAN CHEM,S-90187 UMEA,SWEDEN

[2] KEMA NORD INDUSTRIKEMI,S-84010 LJUNGAVERK,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

10.1111/j.1151-2916.1988.tb07565.x

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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