AN ANALYTIC MODEL FOR CALCULATING TRAPPED CHARGE IN AMORPHOUS-SILICON

被引：47

作者：

SHAW, JG

HACK, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.341258

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4562 / 4566

页数：5

共 12 条

[1]

COTTRELL PE, 1979, NUMERICAL ANAL SEMIC, P31

[2] PHYSICS OF AMORPHOUS-SILICON ALLOY P-I-N SOLAR-CELLS [J].

HACK, M ;

SHUR, M .

[3]

HACK M, 1988, MATER RES SOC S P RE

[4]

HACK M, 1985, MATER RES SOC S P, V49, P373

[5]

MOTT NF, 1979, ELECTRONIC PROCESSES, P10

[6]

SELBERHERR S, 1980, IEEE T ELECTRON DEV, V27, P1770

[7]

SHAW JG, 1985, ICL8501 XER PAL ALT

[8]

SHAW JG, 1988, MATER RES SOC S P RE

SHUR, M ;

HYUN, C .

[10] PHYSICS OF AMORPHOUS-SILICON BASED ALLOY FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

SHUR, M ;

HACK, M .