LIFETIMES AND CAPTURE CROSS SECTIONS IN GOLD-DOPED SILICON

被引:44
作者
DAVIS, WD
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1959年 / 114卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.114.1006
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1006 / 1008
页数:3
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