QUANTITATIVE-EVALUATION OF SUBSTRATE-TEMPERATURE DEPENDENCE OF GE INCORPORATION IN GAAS DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:31
作者
KUNZEL, H
FISCHER, A
PLOOG, K
机构
来源
APPLIED PHYSICS | 1980年 / 22卷 / 01期
关键词
D O I
10.1007/BF00897927
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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共 21 条
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WOOD CEC, 1979, 45 I PHYS C SER, P28