THEORETICAL ORIGINS OF NSS PEAKS OBSERVED IN GRAY-BROWN MOS STUDIES

被引：24

作者：

BOUDRY, MR ^{[1
]}

机构：

[1] MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1973年 / 22卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654496

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：530 / 531

页数：2

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[4] SAKAKI H, 1970, IEEE T ELECTRON DEVI, VED17, P892
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