A SIMPLE AND ACCURATE APPROXIMATION TO HIGH-FREQUENCY CHARACTERISTICS OF INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：14

作者：

VANNIELEN, JA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(69)90060-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：826 / +

页数：1

共 7 条

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