INSITU OBSERVATION BY ULTRAHIGH-VACUUM REFLECTION ELECTRON-MICROSCOPY OF TERRACE FORMATION PROCESSES ON (100) SILICON SURFACES DURING ANNEALING

被引：4

作者：

INOUE, N ^{[1
]}

YAGI, K ^{[1
]}

机构：

[1] TOKYO INST TECHNOL, MEGURO KU, TOKYO 152, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.101606

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1400 / 1402

页数：3

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共 3 条

INOUE, N ;

TANISHIRO, Y ;

YAGI, K .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1987, 26 (04) :L293-L295

SAKAMOTO, T ;

HASHIGUCHI, G .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1986, 25 (01) :L78-L80

[3]

TAKAYANAGI K, 1978, J PHYS E, V11, P411