PHOTOELECTRIC MEASUREMENT OF TUNGSTEN SILICIDE AND N-TYPE SILICON BARRIERS

被引：6

作者：

ITOH, Y

HASHIMOTO, N

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1967年 / 38卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1709446

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：899 / +

页数：1

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共 4 条

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