NEGATIVE RESISTANCE IN SILICON DOPED WITH GOLD

被引：4

作者：

ANTOGNETTI, P

CHIABRERA, A

RIDELLA, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(71)90024-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1119 / +

页数：1

共 7 条

[1]

ANTOGNETTI P, 1971, MAR EUR SEM DEV RES

[2]

Blouke M. M., 1970, Solid-State Electronics, V13, P337, DOI 10.1016/0038-1101(70)90184-X

[3] DOUBLE INJECTION IN INSULATORS [J].

LAMPERT, MA .

PHYSICAL REVIEW, 1962, 125 (01) :126-&

[4]

LAMPERT MA, 1970, CURRENT INJECTION SO, pCH11

MOORE, JS ;

HOLONYAK, N ;

SIRKIS, MD .

WEBER, WH ;

FORD, GW .

[7]

Zwicker H. R., 1970, Applied Physics Letters, V16, P63, DOI 10.1063/1.1653101